Número de Producto del Fabricante:
HN1B04F(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN1B04F(TE85L,F)-DG
Descripción:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventario:
12890515
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ENVIAR
HN1B04F(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN, PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
500mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
30V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 100mA, 1V
Potencia - Máx.
300mW
Frecuencia - Transición
200MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivos del proveedor
SM6
Número de producto base
HN1B04
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HN1B04F(TE85LF)TR
HN1B04F(TE85LF)CT
HN1B04F (TE85L,F)
HN1B04F(TE85LF)DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FMB2227A
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
75
NÚMERO DE PIEZA
FMB2227A-DG
PRECIO UNITARIO
0.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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