Número de Producto del Fabricante:
BUK9Y19-100E,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
BUK9Y19-100E,115-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
16480 Pcs Nuevos Originales En Stock
12833088
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
8A1W
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BUK9Y19-100E,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
56A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5085 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
BUK9Y19
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
568-11546-2
934066629115
568-11546-1-DG
1727-1855-2
568-11546-2-DG
1727-1855-1
BUK9Y19-100E,115-DG
568-11546-1
5202-BUK9Y19-100E,115TR
568-11546-6-DG
568-11546-6
1727-1855-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PSMN3R4-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
PSMN1R1-30EL,127
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
PMV50UPEVL
MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
